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BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,光储一体机,PCS双向变流器等新能源领域。

现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。

高效逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于单相逆变器,该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流,以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低功率范围内(如屋顶光伏系统),其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路功能的第五、六开关。其有效隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无功交换,提升系统效率,且降低寄生电容上的电压高频分量,消除漏电流,通过利用BASiC基本半导体SiC碳化硅器件的开关损耗低特性,单相HERIC电路中,用单一器件BASiC基本半导体650V混合... [详细介绍]
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